半导体记忆装置

摘要

本发明的半导体记忆装置系藉由解除记忆格之随非正常漏电流而固定产生的位元线电流，而增加每位元线的记忆格数量，实现记忆格阵列之大规模化，并可减小晶片面积。因此，设置着源极线电位控制电路，俾将构成经列选择讯号所选择之记忆格的电晶体之源极电位设定于接地电位，并将构成经列选择讯号所非选择之记忆格的电晶体之源极电位设定于电源电位。藉此，便将构成非选择之记忆格之电晶体的源极与汲极间的电位差予以缩小，俾解除漏电流现象。