形成铁电存储器胞元的方法

摘要

本发明具有反向T形栅极堆叠的金属－铁电－金属－隔离－半导体(MFMIS)存储器装置，其可以仅利用一个字元线罩幕完成。这种金属－铁电－金属－隔离－半导体(MFMIS)存储器装置的制作是利用一个字元线罩幕形成字元线、并利用边衬形成一个反向T形栅极堆叠，因此可以相容于自我校准的蚀刻制程。

主权项

1.一种形成一铁电装置的方法，包括：利用一隔离区域，在一硅基底上形成至少一主动区域；在该至少一主动区域及该隔离区域上沉积多层，其中，该多层包括一隔离层、一第一电极层、一铁电层、一第二电极层及一第一介电层；基于一字元线罩幕，蚀刻该多层的至少一层，藉以形成一第一蚀刻层及一未蚀刻层；形成一第一边衬，藉以限定该第一蚀刻层；基于该第一边衬，蚀刻该未蚀刻层的至少一部分，藉以形成一第二蚀刻层；形成一第二边衬，藉以限定该第二蚀刻层；形成一中间介电层；在该中间介电层中开启一接触孔；以及形成一导电体，藉以填满该接触孔。