| 主权项 |
1.一种形成薄膜电晶体的方法,包含:提供一底材;形成一闸极在该底材上;形成一介电质层在该底材上并覆盖该闸极;形成一第一半导体层在该介电质层上;形成一第二半导体层在该第一半导体层上;形成一光阻层在该第二半导体层上;放置一光罩于该光阻层上方,该光罩具有一双狭缝图案在该闸极上方;图案化该光阻层而形成一光阻图案,该光阻图案基本上系位于该闸极及其周围之部份该底材上方,该光阻图案可分为一较薄部份光阻图案以及一较厚部份光阻图案,该较薄部份光阻图案系位于该双狭缝图案下方;移除未被该光阻图案所覆盖之部份该第二半导体层与部份该第一半导体层;移除该较薄部份光阻图案;以及移除未被剩下之部份该光阻图案所覆盖之部份该第二半导体层。2.如申请专利范围第1项之形成薄膜电晶体的方法,该双狭缝图案之中间系位于该闸极之中间的上方。3.如申请专利范围第1项之形成薄膜电晶体的方法,尚可在形成该闸极时,也形成与该闸极相互电性隔离之一不透光结构,该不透光结构系位于至少部份未被移除之该第一半导体层下方。4.如申请专利范围第1项之形成薄膜电晶体的方法,尚可以在移除部份该第二半导体层后,先移除该光阻图案,再形成一附加介电质层在该底材上并覆盖该第一半导体层与该第二半导体层。5.如申请专利范围第4项之形成薄膜电晶体的方法,尚可再图案化该附加介电质层,形成一开口曝露部份该第二半导体层。6.如申请专利范围第5项之形成薄膜电晶体的方法,尚可再形成一图案化导体结构在该附加介电质层上方,该图案化导体结构亦位于该开口中。7.如申请专利范围第6项之形成薄膜电晶体的方法,尚可在形成该闸极时,也形成与该闸极相互电性隔离之一不透光结构,该不透光结构系位于至少部份该图案化导体结构之下方。8.如申请专利范围第1项之形成薄膜电晶体的方法,尚可在移除部份该第二半导体层后,再移除未被剩下之部份该光阻图案所覆盖之部份该第一半导体层。9.如申请专利范围第8项之形成薄膜电晶体的方法,尚可以先移除该光阻图案,再形成一附加介电质层在该底材上并覆盖该第一半导体层与该第二半导体层。10.如申请专利范围第9项之形成薄膜电晶体的方法,尚可再图案化该附加介电质层,形成一开口曝露未位于该闸极上方之部份该第二半导体层。11.如申请专利范围第10项之形成薄膜电晶体的方法,尚可再形成一图案化导体结构在该附加介电质层上方,该图案化导体结构亦位于该开口中。12.如申请专利范围第11项之形成薄膜电晶体的方法,尚可在形成该闸极时,也形成与该闸极相互电性隔离之一不透光结构,该不透光结构系位于至少部份该图案化导体结构之下方。13.一种形成薄膜电晶体的方法,包含:提供一底材;形成一导体结构与一不透光结构在该底材上,该导体结构与该不透光结构系相互电性隔离;形成一第一介电质层在该底材上,该第一介电质层亦覆盖该导体结构与该不透光结构;形成一第一半导体层在该第一介电质层上;形成一第二半导体层在该第一半导体层上;执行一图案化程序,移除部份该第二半导体层与部份该第一半导体层,在此未被移除之部份该第二半导体层与未被移除之部份该第一半导体层都至少位于该导体结构的上方;形成一第二介电质层在该底材上,该第二介电质层亦覆盖未被移除之部份该第二半导体层与未被移除之部份该第一半导体层;形成一开口在该第二介电质层中,该开口曝露部分之该第二半导体层;以及形成一图案化导体层在该第二介电质层上,该图案化导体层亦位于该开口中。14.如申请专利范围第13项之形成薄膜电晶体的方法,未被移除之部份该第一半导体层至少覆盖部份该不透光结构。15.如申请专利范围第13项之形成薄膜电晶体的方法,未被移除之部份该些导体层之图案系被调整到,沿该导体结构之边缘,位于该导体结构上方未被移除之部份该些导体层的宽度系大于不位于该导体结构上方未被移除之部份该些导体层的宽度。16.如申请专利范围第13项之形成薄膜电晶体的方法,未被移除之部份该些导体层之图案系被调整到,沿该不透光结构之边缘,位于该不透光结构上方未被移除之部份该些导体层的宽度系大于不位于该不透光结构上方未被移除之部份该些导体层的宽度。17.一种薄膜电晶体,包含:一导体结构,位于一底材上;一不透光结构,位于该底材上并与该第一导体结构相互分离;一第一介电质层,该第一介电质层覆盖该底材、该导体结构以及该不透光结构;一第一半导体层,该第一半导体层位于该第一介电质层上,该第一半导体层位于该第一导体结构与至少部份该不透光结构上方;一第二半导体层,该第二半导体层位于部份该第一半导体层上,该第二半导体层位于该第一导体结构与至少部份该不透光结构上方;一第二介电质层,该第二介电质层覆盖该底材、该第一半导体层以及该第二半导体层,至少一开口位于该第二介电质层中并曝露部份该第二半导体层;以及一图案化导体层在该第二介电质层上,该图案化导体层亦位于该开口中。18.如申请专利范围第17项之薄膜电晶体,该不透光结构亦位于至少部份该图案化导体层之下方。19.如申请专利范围第17项之薄膜电晶体,沿该导体结构之边缘,任一该导体层位于该导体结构上方之部份的宽度系大于不位于该导体结构上方之部份的宽度。20.如申请专利范围第17项之薄膜电晶体,沿该不透光结构之边缘,任一该导体层位于该不透光结构上方之部份系宽于不位于该不透光结构上方之部份。图式简单说明:第一图为薄膜电晶体之习知结构的横截面示意图;第二A图至第二H图为本发明所提出之一形成薄膜电晶体方法的基本步骤示意图;第三A图至第三D图为本发明所提出之一薄膜电晶体之几种可能结构的示意图;以及第四A图至第四E图为本发明所提出之另一形成薄膜电晶体方法的基本步骤示意图。 |
