发明名称 积体pin二极体之制造方法及其电路排列METHOD FOR FABRICATING AN INTEGRATED PIN DIODE AND ASSOCIATED CIRCUIT ARRANGEMENT
摘要 本发明系为一积体PIN光电二极体之制造方法,该光电二极体包含一埋入区域(20),以及一通至该埋入区域(20)的端点区域(32)。该方法以简单的方式积体化PIN光电二极体。更甚者,本案中制造PIN二极体之步骤也可能适用于制造屏障井(22,56)。
申请公布号 TW200405583 申请公布日期 2004.04.01
申请号 TW092120296 申请日期 2003.07.24
申请人 亿恒科技股份公司 发明人 卡尔海恩茨 慕尔勒克;约翰内斯 卡尔 史图尔姆
分类号 H01L31/105 主分类号 H01L31/105
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国