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发明名称
积体pin二极体之制造方法及其电路排列METHOD FOR FABRICATING AN INTEGRATED PIN DIODE AND ASSOCIATED CIRCUIT ARRANGEMENT
摘要
本发明系为一积体PIN光电二极体之制造方法,该光电二极体包含一埋入区域(20),以及一通至该埋入区域(20)的端点区域(32)。该方法以简单的方式积体化PIN光电二极体。更甚者,本案中制造PIN二极体之步骤也可能适用于制造屏障井(22,56)。
申请公布号
TW200405583
申请公布日期
2004.04.01
申请号
TW092120296
申请日期
2003.07.24
申请人
亿恒科技股份公司
发明人
卡尔海恩茨 慕尔勒克;约翰内斯 卡尔 史图尔姆
分类号
H01L31/105
主分类号
H01L31/105
代理机构
代理人
蔡清福
主权项
地址
德国
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