主权项 |
1.一种辅助磷化镓磊晶成长方法,其系利用磊晶层之薄膜成份以外的元素,作为添加物,以增加磊晶速率,上述方法包含:提供一过饱和溶液,该过饱和溶液使用镓作为溶剂;添加含有磷或镓之物质作为溶质;添加含有镁、矽或碲之物质作为电性决定添加物;添加增加磊晶速率添加物;将基材浸入该过饱和溶液中;完成该磊晶层之生长者。2.如申请专利范围第1项所述之辅助磷化镓磊晶成长方法,其中增加磊晶速率添加物为铟元素者。3.如申请专利范围第1项所述之辅助磷化镓磊晶成长方法,其中增加磊晶速率添加物为锌元素者。图式简单说明:第1图为具有厚的透光层之发光二极体元件示意图;第2图为成长速率对不同铟的掺杂量关系图;第3图为透光层载子浓度对不同铟的掺杂量关系图;第4图为透光层电阻率对不同铟的掺杂量关系图;第5图为透光层载子迁移率对不同铟的掺杂量关系图;第6图为铟对溶剂镓为5%的X光谱分析图;第7图为铟对溶剂镓为70%的X光谱分析图;第8A图为对镁的掺杂后之生长表面平整分析图;第8B图为对锌的掺杂后之生长表面平整分析图; |