发明名称 透过离子植入而制造波导光锥
摘要 一种在一半导体层中制做一光锥之方法。在一具体实施例中,一半导体层系形成于一覆层上。再于该半导体层上形成一光罩层。该光罩层被图案化且被蚀刻,以形成至少一倾斜区域及一厚区域。进行离子植入,而得以将离子植入该倾斜区下面之部分,并具有一相对于覆层表面成一角度倾斜之界面或表面。该倾斜面即构成垂直光锥之一部分。被植入区不与该覆层接触,而是留下一未植入部分以用作一波导,而厚区域下面之部分则未被植入,其形成光锥之一耦合端。
申请公布号 TW200405945 申请公布日期 2004.04.16
申请号 TW092114749 申请日期 2003.05.30
申请人 英特尔公司 发明人 麦可S 莎利布;麦可T 摩尔斯
分类号 G02B6/13;G02B6/30 主分类号 G02B6/13
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 美国