发明名称 | 乾式蚀刻机台侦测方法 | ||
摘要 | 一种半导体制程之乾式蚀刻机台侦测方法。首先,将一定数量之晶圆依序进行乾式蚀刻制程,并记录蚀刻制程中每片晶圆之Vpp值,其次,藉由数学方法将所得之数据加以处理,以避免少数变动较大数据之影响,接下来,将上述利用数学方法推知之正常制程下Vpp区间值输入至蚀刻机台之操控系统,并与进行乾式蚀刻制程晶圆之Vpp值做比较,若Vpp值落于此区间内,则代表此制程处于正常状况,若Vpp值落于此区间外,则蚀刻机台上之操控系统会自动停机并发出警告声或以E–Mail和Pager形式,藉以通知机台负责人员,进行蚀刻机台与制程参数之检测调整。 | ||
申请公布号 | TW200410302 | 申请公布日期 | 2004.06.16 |
申请号 | TW091135493 | 申请日期 | 2002.12.06 |
申请人 | 华邦电子股份有限公司 | 发明人 | 李世琛 |
分类号 | H01L21/02 | 主分类号 | H01L21/02 |
代理机构 | 代理人 | 岑英培 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区研新三路四号 |