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发明名称
使用一超薄氧扩散障壁层来防止电晶体中侧氧化之方法及装置
摘要
本发明揭示一种用于防止藉由闸极介电质的侧氧化之方法及装置,该等闸极介电质对氧扩散具有高渗透性,例如高k闸极介电质。依据本发明之一项具体实施例,在一基板上形成一闸极结构,该闸极结构具有一透氧性的闸极介电质。然后在该闸极结构的侧壁上形成一透氧性障壁层,以防止氧侧扩散入该透氧性闸极介电质,因而防止对该闸极介电质下面的基板或覆盖在该闸极介电质上面的导电闸极电极氧化。
申请公布号
TW200415732
申请公布日期
2004.08.16
申请号
TW092122267
申请日期
2003.08.13
申请人
英特尔公司
发明人
丽莎 亚哈泛尼;派希亚 史多克利;罗伯特 查
分类号
H01L21/336
主分类号
H01L21/336
代理机构
代理人
陈长文
主权项
地址
美国
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