半导体装置之制造方法

摘要

一种半导体装置之制造方法，可获得容易且准确控制贯穿电极的背面突出量。其步骤包含：将凹陷7形成于其表面上具备半导体电路2的基板主体6上；将绝缘膜8形成于凹陷7内壁面上；中间夹有绝缘膜8将导电材镶入于凹陷7内，以形成可作为贯穿电极5的埋入电极15；对于与表面相对应的基板主体6背面予以去除到，使埋入电极15端面露出为止，以作成贯穿电极5；对于基板主体6的背面进行阳极氧化以形成阳极氧化膜9；利用蚀刻来去除阳极氧化膜9以形成半导体基板4。