| 摘要 |
本发明之内容系掺有高挥发性异物之矽单晶体制造方法，该矽单晶体系自容纳在坩埚内预定加工情况下之融体抽拉而成，坩埚内添加适量异物N0俾达成该融体之预期电阻，于t时间之后，将数量为ΔN(t)之异物至少一次后–掺在融体内，以补偿融体因异物蒸发出去之损失，其中异物之数量ΔN(t)系依照方程式ΔN(t)＝N0–N(t)＝N0．(1–e^–λa．t)或依照近似方程式ΔN(t)＝N0．λa．t计算出来，其中λa系一蒸发系数，该系数系说明异物加工特殊蒸发性状且系另一单晶体电阻分布R(t)业经量测及依照方程式R(t)＝R0．e^–λa．t之后而求得者，其中R0系一起始比电阻及另一单晶体系在预先决定加工条件下无需实施后–掺以异物所抽拉者。 |
