多晶矽蚀刻方法

摘要

一种多晶矽蚀刻方法，在多晶矽层被形成图案后，能够完全移除残留在被一多晶矽层覆盖的一突出物侧壁上的多晶矽残留物，而保留形成异向性多晶矽层且留下下面的绝缘膜没蚀刻。在一多晶矽层沉积在一基板的一主表面、覆盖一突出物后，一光阻层形成在覆盖突出物之多晶矽层上。利用该光阻层做一遮罩，实施一电浆蚀刻制程以形成多晶矽层图案及形成一闸极电极多晶矽层。在第一步骤，利用HBr及Cl2蚀刻多晶矽层直到多晶矽间隔材残余物出现在突出物的侧壁上，及在第二步骤，在5到10mTorr压力下，使用HBr移除多晶矽残余物。