发明名称 窄鳍片场效应电晶体
摘要 一种具有小于6奈米的通道宽度之窄通道鳍式场效电晶体(FinFET)。该FinFET可包含一鳍片(140),其中系利用氨水蚀刻或活性离子蚀刻(RIE)来削减该通道区。
申请公布号 TW200418180 申请公布日期 2004.09.16
申请号 TW093101517 申请日期 2004.01.20
申请人 高级微装置公司 发明人 罗兰 卡瓦皮克;安西琳;达西拉马非 斯坎瓦拉;王海宏;俞宾
分类号 H01L29/772 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国