发明名称 覆晶接合制程
摘要 一种覆晶接合制程,其于回焊的过程中,熔融之凸块受到表面张力作用,使得原本球状凸块之部的横向截面积缩小,而其两端的横向截面积变大,进而使得球状之凸块产生形变而呈一柱状体结构。最后,此柱状凸块之部的横向截面积将小于两端的横向截面积,而凸块之一端的横向截面积系等于焊垫的横向截面积,且凸块之另一端的横向截面积系等于接点的横向截面积,用以减缓凸块的两端其应力过度集中的现象,以达到提高凸块之疲劳寿命的目的。
申请公布号 TW200501371 申请公布日期 2005.01.01
申请号 TW092117785 申请日期 2003.06.30
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 陈裕文;锺智明
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路二十六号