| 主权项 |
1.一种电晶体制造方法,其至少包含下列步骤:在半导体基板上,依序形成使该基板的一部分露出之垫氧化层和氮化矽层;以该垫氧化层和该氮化矽层作为罩幕,蚀刻该基板,形成一沟渠;在该沟渠的内部,依序形成一第1氧化层,以及在该第1氧化层的侧面形成圆筒状的绝缘间隙壁;将包含该第1氧化层和该绝缘间隙壁的该沟渠的内部加以填平,形成一绝缘图案;蚀刻该氮化矽层、该绝缘图案和该绝缘间隙壁,使该垫氧化层露出;除去该垫氧化层;除去该绝缘间隙壁和该第1氧化层;在该残留的绝缘图案的两侧之下部基板,依序形成源极/汲极和LDD;在包含该源极/汲极和LDD的该基板上,形成一第2氧化层;在该LDD之间,依序形成通道阻绝层和在其下部的击穿阻绝层;以及在包含该第2氧化层的沟渠内部,依序形成一闸极绝缘层和一闸极。2.如申请专利范围第1项所述的电晶体制造方法,其中该绝缘间隙壁的形成制程,包含:在包含该第1氧化层的浅沟渠上,进行LPCVD制程,使第2氧化层成长;以及对该第2氧化层进行异方性的乾式蚀刻制程。3.如申请专利范围第2项所述的电晶体制造方法,其中该第2氧化层,相对于该第1氧化层,系使用湿式蚀刻选择比高的PSG所制成。4.如申请专利范围第1项所述的电晶体制造方法,其中在形成该闸极绝缘层和该闸极之后,更包含:在该结果物上,形成具有分别使该源极/极极和闸极露出的接触孔之层间绝缘层;形成各个导电插塞将该些接触孔填平;以及在该层间绝缘层上,形成与该导电插塞连结的金属配线。5.如申请专利范围第1项所述的电晶体制造方法,其中该LDD,系从包含该第1氧化层的沟渠底面算起300-1000的厚度程度,往上侧方向形成。图式简单说明:第1a图-第1f图系表示根据本发明的电晶体制造之制程剖面图。 |
