| 主权项 |
1.一种碳膜涂敷物件,其包含一基板;一混合层,其形成在该基板之至少一部份上,且由构成该基板之元素及钨所组成;一钨膜,其形成在该混合层上;及一碳膜,其形成在该钨膜上。2.如申请专利范围第1项之碳膜涂敷物件,其中该混合层具有200奈米或更少之厚度。3.如申请专利范围第1项之碳膜涂敷物件,其中该钨膜具有170奈米或更少之厚度。4.如申请专利范围第1项之碳膜涂敷物件,其中该碳膜具有500奈米至10微米之厚度。5.如申请专利范围第1项之碳膜涂敷物件,其中该基板系由一包含当作主要成份之铁之材料所制成。6.一种制造碳膜涂敷物件之方法,该物件包含一基板;一混合层,其形成在该基板之至少一部份上,且由构成该基板之元素及钨所组成;一钨膜,其形成在该混合层上;及一碳膜,其形成在该钨膜上,该方法包括以下步骤:在该基板之至少一部份上形成该混合层,该混合层系由构成该基板之元素及钨所组成;在该混合层上形成该钨膜;及在该钨膜上形成该碳膜;其中该混合层、该钨膜及该碳膜之至少一种系于真空电弧淀积装置中使用一由电弧放电所蒸发之阴极材料所形成,该淀积装置具有一包含该阴极之真空电弧蒸发源。7.如申请专利范围第6项之方法,其中该碳膜系藉着一真空电弧淀积法于该真空电弧淀积装置中使用碳当作该阴极材料所形成,而同时施加一脉冲型偏压至该基板。8.如申请专利范围第6项之方法,其中该混合层系藉着于该真空电弧淀积装置中使用钨当作该阴极材料所形成,而同时施加一偏压至该基板以使该基板遭受一高速粒子撞击制程。9.如申请专利范围第6项之方法,其中所有该混合层、该钨膜及该碳膜系形成在一相同之真空电弧淀积装置中。10.如申请专利范围第6项之方法,其中该真空电弧蒸发装置具有至少二真空电弧蒸发源,包括具有一包含当作主要成份之钨阴极之第一真空电弧蒸发源及具有一包含当作主要成份之碳阴极之第二真空电弧蒸发源。11.如申请专利范围第6项之方法,其中该真空电弧淀积装置系一种磁性过滤器型,其具有用于至少一真空电弧蒸发源之磁性过滤器,用于抑止该阴极材料之微粒附着至该基板。图式简单说明:图1系一局部剖视图,其显示该碳膜涂敷物件之一范例。图2系一概要图,其显示该真空电弧淀积装置之一范例之结构。图3系一曲线图,其显示一方面(下面)DLC薄膜之一底层材料与厚度及另一方面代表DLC薄膜对该基板之黏附力之剥离面积间之关系。图4系一曲线图,其显示该DLC薄膜与该基板间所形成混合层之厚度及一代表该DLC薄膜对该基板之黏附力之负荷电阻间之关系。 |
