发明名称 半导体装置及半导体装置之组合方法
摘要 本发明之目的为提供一种可在备有被薄化的半导体元件之半导体装置中,防止产生于外缘部附近之半导体元件之损坏以确保可靠性的、半导体装置。为了实现此目的,本发明之半导体装置于是在表面形成多数个外部连接用端子,并在已薄化处理的半导体元件(2)之背面,藉树脂(5)来黏接刚性比该半导体元件(2)更高之板(4);即,将板(4)之外形作成大于半导体元件(2)之外形,同时用树脂(5)来被覆半导体元件(2)之侧面(2b),藉此形成用来补强该半导体元件(2)之缘部的补强部(5a)。
申请公布号 TWI229396 申请公布日期 2005.03.11
申请号 TW092108718 申请日期 2003.04.15
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 境忠彦;大园满;和田义之
分类号 H01L21/60 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种半导体装置,包含有:半导体元件,备有形成有外部连接用端子之第一面及同前述第一面相对之第二面;板,系与前述第二面相向;及树脂,系用以黏接前述第二面及前述板;其特征在于:前述板具有高于前述半导体元件之刚性;前述板之外形系大于前述半导体元件之外形;前述树脂,系用以被覆前述半导体元件之外缘部。2.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其特征在于:前述树脂系用以被覆前述半导体元件之侧面及由前述第二面所形成之边缘。3.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其特征在于:前述树脂系用以被覆前述半导体元件之全周。4.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其特征在于:前述树脂只被覆前述半导体元件之隅角部。5.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其特征在于:前述半导体元件之厚度,为10m以上且150m以下。6.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其特征在于:在前述外部连接端子形成有凸块。7.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其特征在于:在被前述第二面及前述板所夹住之部分,可允许前述树脂向前述半导体元件之厚度方向变形。8.如申请专利范围第5项所述之半导体装置,其特征在于:在前述外部连接端子形成有凸块;在被前述第二面及前述所夹住之部分,可允许前述树脂向前述半导体元件之厚度方向变形。9.如申请专利范围第1项所述之半导体装置,其特征在于:前述半导体元件,系在前述第一面上备有再配线层;前述再配线层,备有一形成在表面之表面电极及一形成在内部之内部电极;前述内部电极,连接前述表面电极及前述外部连接用电极。10.如申请专利范围第9项所述之半导体装置,其特征在于:在前述表面电极,形成有凸块。11.一种半导体装置之装配方法,该半导体装置系使用树脂黏接半导体元件及刚性高于前述半导体元件之板而成者,其中:前述半导体元件,备有一形成有外部连接用端子之第一面及一与前述第一面相对之第二面,前述第二面即与前述板黏接;前述装配方法,包含有:第一工程--将前述树脂供给包含有前述板之板状构件;第二工程--使用前述树脂,黏接前述第二面及前述板成对准状态;及第三工程--从前述板状构件切断前述板。12.如申请专利范围第11项所述之半导体装置之装配方法,其特征在于:于前述第二工程,由前述树脂被覆前述半导体元件之外缘部而成。13.如申请专利范围第12项所述之半导体装置之装配方法,其特征在于:藉助加热使前述树脂之黏度降低,藉此将前述树脂扩展于前述半导体元件之侧面,以用来被覆前述外缘部。14.如申请专利范围第11项所述之半导体装置之装配方法,其特征在于:前述第一工程为,用以供给为被覆前述半导体元件侧面所需之量的树脂之工程。15.如申请专利范围第11项所述之半导体装置之装配方法,其特征在于:于前述第一工程中供给之前述树脂为液状;前述板状构件,备有用来包围前述板之突起部;将前述液状树脂供给前述突起部之内侧。16.如申请专利范围第11项所述之半导体装置之装配方法,其特征在于:前述树脂为片状;前述第一工程为将前述片状之树脂贴附于前述板状构件之工程。17.如申请专利范围第11项所述之半导体装置之装配方法,其特征在于:前述板状构件具有多数个板;前述第二工程,包含有装载工程及加热工程,其中:装载工程,系于前述板状构件所具有之每一板,透过前述树脂来装载前述半导体元件;而加热工程,系用以加热装载有前述半导体构件之前述板状构件。18.如申请专利范围第17项所述之半导体装置之装配方法,其特征在于:前述第二工程,系同时进行前述装载工程及前述加热工程。19.如申请专利范围第18项所述之半导体装置之装配方法,其特征在于:前述第二工程,系使用一备有加热手段之前述半导体元件之装载手段,来进行。20.如申请专利范围第11项所述之半导体装置之装配方法,其特征在于:前述半导体元件,系于前述第一面上具有再配线层。图式简单说明:第1A图系本发明实施形态1之半导体装置之斜视图;第1B图系本发明实施形态1之半导体装置之部分断面图;第2A-2E图为工程说明图,系说明本发明实施形态1之半导体装置的装配方法;第3图为斜视图,系显示用于本发明实施形态1之半导体装置的板状部分;第4图为斜视图,系显示用于本发明实施形态1之半导体装置装配的电子零件装载装置;第5图为斜视图,系显示用于本发明实施形态1之半导体装置装配的划线装置;第6图为部分断面图,系显示用于本发明实施形态1之半导体装置装配的划线装置;第7A图,系本发明实施形态1之安装构造的断面图;第7B图,系本发明实施形态1之安装构造的部分断面图;第8A图,系本发明实施形态1之半导体装置的斜视图;第8B图,系本发明实施形态1之半导体装置的平面图;第9A-9D图为工程说明图,系说明本发明实施形态2之半导体装置的安装方法;第10A图,系本发明实施形态3之半导体装置的斜视图;第10B图,系本发明实施形态3之半导体装置的部分断面图;第11A图,系习知安装构造之断面图;第11B图,系显示习知安装构造中之半导体元件的变形状态。
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