发明名称 射频信号之量测方法以及装置
摘要 提供一种在经取样的传输线中测量RF信号的电压及电流之射频(RF)探针头装置。探针头装置包括导电外罩,导电外罩内之汇流排,一对装在导电外罩且组构以使RF信号经由汇流排进出外罩的连接器,外罩内之电压检波板,以及外罩内之电流检波板。电压检波板有反应绕着汇流排之电场以产生表示电场的平方根(RMS)值之第一DC输出的类比处理器。电流检波板有反应绕着汇流排之磁场以产生表示磁场的RMS值之第二DC输出的第二类比处理器。
申请公布号 TWI229353 申请公布日期 2005.03.11
申请号 TW092103216 申请日期 2003.02.17
申请人 恩尼科技股份有限公司 发明人 大卫.柯莫
分类号 H01F27/42 主分类号 H01F27/42
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 1.一种在经取样的传输线中测量RF信号的电压及电流之射频信号(RF)探针头装置,该探针头装置包含:导电外罩;导电外罩内之滙流排;一对装在该导电外罩上组构以使RF信号经由该滙流排进出该外罩的连接器;电压检波板于该外罩内,该电压检波板具有反应绕着该滙流排之电场以产生表示该电场的平方根(RMS)値之第一DC输出的第一类比处理器;以及电流检波板于该外罩内,该电流检波板具有反应绕着该滙流排之磁场以产生表示该磁场的RMS値之第二DC输出的第二类比处理器。2.根据申请专利范围第1项之装置,其中该第二类比处理器包含类比RMS转换器。3.根据申请专利范围第1项之装置,其中该第一类比处理器包含类比RMS转换器。4.根据申请专利范围第3项之装置,其中该第二类比处理器包含类比RMS转换器。5.根据申请专利范围第4项之装置,其中该第一类比处理器进一步包含反应代表该电场之电信号的第一带通滤波器,该第一带通滤波器具有耦合于该第一类比RMS转换器的输出,以及反应该第一类比RMS转换器的输出以产生代表该电场的第一电信号之第一低通滤波器;以及该第二类比处理器进一步包含反应代表该磁场之电信号的第二带通滤波器,且该第二带通滤波器具有耦合于该第二类比RMS转换器的输出,以及反应该第二类比RMS转换器的输出以产生代表该磁场的第二电信号之第二低通滤波器。6.根据申请专利范围第5项之装置,进一步包含反应该第一电信号以产生第一经缓冲电信号的第一缓冲区以及反应该第二电信号以产生第二经缓冲电信号的第二缓冲区。7.根据申请专利范围第1项之装置,其中该电压检波板系组构以在该滙流排上产生与RF信号的RMS电压成正比的该第一DC输出,且该电流检波板系组构以在该滙流排上产生与RF信号的RMS电压成正比的该第二DC输出。8.根据申请专利范围第1项之装置,其中该电压检波板系耦合至该电场以产生第一经取样的RF信号,且该电流检波板系耦合至该磁场以产生第二经取样的RF信号,且进一步包含反应该第一经取样的RF信号及该第二经取样的RF信号的相比较器以产生表示该第一经取样的RF信号及该第二经取样的RF信号间的相差之信号。9.根据申请专利范围第8项之装置,其中该第一经取样的RF信号及该第二经取样的RF信号系提供在该外罩上的外部RF连接器,且该相比较器系装设至该外罩外侧的该外部RF连接器。10.根据申请专利范围第8项之装置,进一步包含反应表示该相差,该第一DC输出,及该第二DC输出的该信号以产生表示应用RF信号至负载的阻抗之信号及应用至负载的RF信号之功率量之功率及阻抗电路。11.根据申请专利范围第8项之装置,进一步包含组构以测量RF信号的频率之数位信号处理器。12.根据申请专利范围第1项之装置,电耦合至电浆室。13.根据申请专利范围第12项之装置,装设于电浆室。14.一种在经取样的传输线中侦测RMS电及磁场之射频(RF)探针头,该探针头包含:导电外罩、一对组构以经由该外罩耦合RF信号之RF埠;于该外罩内组构以产生与由该导电外罩内之该RF信号产生之电场的平方根(RMS)値成正比之第一DC输出且产生与由该导电外罩内之该RF信号产生之磁场的RMS値成正比之第二DC输出之电路;以及一对组构以耦合该第一DC输出及该第二DC输出离开该导电外罩之埠。15.根据申请专利范围第14项之探针头,其中该电路包括组构以减少应用至该探针头之RF信号的谐波之滤波器。16.根据申请专利范围第14项之探针头,其中该导电外罩包含具有第一开口端及对侧开口端之中空体,覆盖该第一开口端之第一板以及覆盖该第二开口端之第二板;该对RF埠包含一对连接器在该中空体的对面具有由该外罩内侧的滙流排电连接的中央导体;且该电路包含装设在该外罩内侧于该滙流排及该第一板间的电压检波板,以及装设在该导电外罩内侧于该滙流排及该第二板间的电流检波板。17.一种以RF探针头测量射频(RF)功率之方法,包含:使RF功率通过具有导电外罩之RF探针头;于导电外罩内感测由RF功率产生的电及磁场以产生代表电场之第一电信号及代表磁场之第二电信号;以及处理第一电信号及第二电信号以产生代表电场的平方根(RMS)値之第一DC输出及代表磁场的RMS値之第二DC输出;其中该处理完全在导电外罩内发生。18.根据申请专利范围第17项之方法,其中该处理系完全以类比电路执行。19.根据申请专利范围第17项之方法,其中该处理包括第一电信号及第二电信号的滤波以移除通过RF探针头的RF功率的谐波。20.根据申请专利范围第19项之方法,其中该处理系完全以类比电路执行。图式简单说明:图1是RF探针头的一组构的方块图;图2是相比较器印刷电路板的方块图;以及图3是显示RF探针头的部分组件之透视图。图4是自外罩的内侧图3的导电外罩的组构的截面立体图。
地址 美国
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