| 摘要 |
本发明提供一种高纯度Ni-V合金及由该Ni-V合金构成之靶以及该Ni-V合金薄膜，其特征为Ni、V、及气体成分除外之Ni-V合金纯度均为99.9wt％以上，且铸锭间或靶间或薄膜间之V含量偏差在0.4％以内。所提供之高纯度Ni-V合金、由该Ni-V合金构成之靶及该Ni-V合金薄膜，其铸锭间或靶间或薄膜间之偏差少，可提升溅刻性，且严格地减少会发射α粒子而对半导体装置之微细电路有不良影响之U-Th等放射性同位素，并具99.9wt％以上纯度，并提供可有效减少前述杂质之高纯度Ni-V合金之制造方法。 |
