发明名称 | 高效率氮化物系发光元件 | ||
摘要 | 一种高效率氮化物系发光元件,其中存在一基板,形成于该基板上之一第一导电性氮化物半导体叠层,其中该第一导电性氮化物半导体叠层远离基板之表面包含一磊晶区域及一粗化区域,形成于该磊晶区域上之一氮化物多重量子井发光层,以及形成于该氮化物多重量子井发光层上之一第二导电性氮化物半导体叠层,以提高发光二极体之光摘出效率。 | ||
申请公布号 | TW200514273 | 申请公布日期 | 2005.04.16 |
申请号 | TW092128215 | 申请日期 | 2003.10.08 |
申请人 | 晶元光电股份有限公司 | 发明人 | 欧震;陈标达;魏学贤;蔡燕婷 |
分类号 | H01L33/00 | 主分类号 | H01L33/00 |
代理机构 | 代理人 | ||
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区园区二路48号 |