| 主权项 |
1.一种具有主动偏压电路之功率放大器,包括:一功率放大器电晶体,具有一闸极与该闸极之一偏压;以及一主动偏压电路,连接到一输入功率端与该功率放大器电晶体之该闸极,用以从该输入功率端接收一输入功率,并藉以输出该闸极之该偏压,其中,该偏压会随着该输入功率之增加而升高。2.如申请专利范围第1项所述之具有主动偏压电路之功率放大器,其中该偏压随着该输入功率之增加而升高之一变化曲线,为一线性变化。3.如申请专利范围第1项所述之具有主动偏压电路之功率放大器,其中该偏压随着该输入功率之增加而升高之一变化曲线,为一非线性变化。4.如申请专利范围第1项所述之具有主动偏压电路之功率放大器,其中该功率放大器电晶体与该主动偏压电路可以为一单晶片(system on chip,SOC)设计与制造。5.如申请专利范围第1项所述之具有主动偏压电路之功率放大器,其中该主动偏压电路,包括一二极体以及一电阻。6.如申请专利范围第4项所述之具有主动偏压电路之功率放大器,其中该主动偏压电路中之该二极体之一等效阻抗,会随着该输入功率变化。7.一种具有主动偏压电路之功率放大器之积体电路,包括:一功率输出装置;一功率放大器电晶体,具有一闸极与该闸极之一偏压;一主动偏压电路,连接到该功率输出装置与该功率放大器电晶体之该闸极,用以从该输出装置接收一输入功率,并藉以输出该闸极之该偏压,其中,该偏压会随着该输入功率之增加而升高;以及一功率输入装置,连接到该功率放大器电晶体之一输出,用以接收该功率放大器电晶体之放大后之一输出功率。8.如申请专利范围第7项所述之具有主动偏压电路之功率放大器之积体电路,其中该偏压随着该输入功率之增加而升高之一变化曲线,为一线性变化。9.如申请专利范围第7项所述之具有主动偏压电路之功率放大器之积体电路,其中该偏压随着该输入功率之增加而升高之一变化曲线,为一非线性变化。10.如申请专利范围第7项所述之具有主动偏压电路之功率放大器之积体电路,其中该功率放大器电晶体与该主动偏压电路可以为一单晶片(system on chip,SOC)设计与制造。11.如申请专利范围第7项所述之具有主动偏压电路之功率放大器之积体电路,其中该主动偏压电路,包括一二极体以及一电阻。12.如申请专利范围第11项所述之具有主动偏压电路之功率放大器之积体电路,其中该主动偏压电路中之该二极体之一等效阻抗,会随着该输入功率变化。13.一种具有主动偏压电路之功率放大方法,用以根据一输入功率之大小输出一电晶体功率放大器之一闸极偏压,包括:提供一输入功率;以及根据该输入功率输出一闸极偏压,其中该偏压会随着该输入功率之增加而升高。14.如申请专利范围第13项所述之具有主动偏压电路之功率放大方法,其中该闸极偏压随着该输入功率之增加而升高之一变化曲线,为一线性变化。15.如申请专利范围第13项所述之具有主动偏压电路之功率放大方法,其中该闸极偏压随着该输入功率之增加而升高之一变化曲线,为一非线性变化。图式简单说明:第1图绘示传统的功率放大器之输出功率、功率增益与功率附加效率;第2图绘示一传统的半导体电晶体功率放大器之电路示意图;第3图为一电路示意图,绘示具有主动偏压电路之功率放大器,系依据本发明之一实施例;第4图为二极体之等效阻抗随输入功率变化之特性;第5图绘示具有主动偏压电路之功率放大器中,与传统之A级功率放大器中,之电晶体之闸极偏压之一比较图;第6图绘示本发明之具有主动偏压电路之功率放大器中,与传统之A级功率放大器中,之输出功率、功率增益与功率附加效率之一比较图;第7图为一电路示意图,绘示具有主动偏压电路之CMOS功率放大器,系依据本发明之一实施例;第8图为一电流对电压之变化图,绘示主动偏压电路中两个电晶体电路之电流对电压之变化曲线,系依据本发明之一实施例;以及第9图本发明之具有主动偏压电路之功率放大器中,与传统之A级功率放大器中,汲极到源极之电流对输入功率之比较图。 |
