发明名称 基板处理装置及基板处理方法
摘要 本发明系提供可极力抑制粒子的产生且防止升降杆等支持构件转写至基板之制品领域之基板处理装置及基板处理方法。于本发明中,由于依照基板的种类来切换气压缸,故可防止支持杆的痕迹转写至基板之制品领域。又,于本发明中,由于以机台为基准来升降驱动支持杆,故可相对减少气压缸的驱动量,而可极力抑制粒子的产生。
申请公布号 TWI232485 申请公布日期 2005.05.11
申请号 TW092137097 申请日期 2003.12.26
申请人 东京威力科创股份有限公司 发明人 西冈慎二;井光广;村上卓人;田尻健一
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种基板处理装置,包含:保持部,系设置成可升降,且至少保持基板之边缘部;第1驱动部,系用以驱动前述保持部之升降动作;第1支持构件,系用以支持前述基板之第1领域;第2支持构件,系用以支持与前述基板之前述第1领域不同之第2领域;及第2驱动部,系适当地切换前述第1支持构件与前述第2支持构件,且使该第1支持构件与第2支持构件相对于前述保持部升降。2.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中前述第1支持构件系用以支持前述基板中具有第1非制品领域作为前述第1领域之第1基板,而前述第2支持构件系用以支持前述基板中具有与前述第1非制品领域不同之第2非制品领域作为前述第2领域之第2基板。3.如申请专利范围第2项之基板处理装置,更具有:处理室,系用以收容前述基板且进行预定处理;减压机构,系使前述处理室减压;控制机构,系依照前述减压机构之减压度来控制前述第1支持构件或第2支持构件之升降驱动。4.如申请专利范围第1项之基板处理装置,其中前述第2驱动部系设为与前述保持部之升降动作一体地动作者。5.一种基板处理装置,包含:板,系用以载置基板,以处理该基板;第1支持构件,系用以支持前述基板之第1领域;第1推压构件,系从下方推压前述第1支持构件,使前述第1支持构件从前述板突出;第2支持构件,系配置成与前述第1支持构件隔着第1间隔,且用以支持与前述基板之前述第1领域不同之第2领域;第2推压构件,系从下方推压前述第2支持构件,使前述第2支持构件从前述板突出;连结构件,系隔着与前述第1间隔不同之第2间隔连结前述第1推压构件与第2推压构件;及驱动部,系使前述连结构件朝预定方向移动,并使前述第1推压构件与前述第1支持构件适当地相向,且使前述第2推压构件与前述第2支持构件适当地相向。6.如申请专利范围第5项之基板处理装置,其中前述第1支持构件系用以支持前述基板中具有第1非制品领域作为前述第1领域之第1基板,而前述第2支持构件系用以支持前述基板中具有与前述第1非制品领域不同之第2非制品领域作为前述第2领域之第2基板。7.一种基板处理方法,系基板处理装置之处理方法,该基板处理装置包含:板,系用以载置基板,以处理该基板;第1支持构件,系用以支持前述基板之第1领域;第1推压构件,系从下方推压前述第1支持构件,使前述第1支持构件从前述板突出;第2支持构件,系配置成与前述第1支持构件隔着第1间隔,且用以支持与前述基板之前述第1领域不同之第2领域;第2推压构件,系从下方推压前述第2支持构件,使前述第2支持构件从前述板突出;及连结构件,系隔着与前述第1间隔不同之第2间隔连结前述第1推压构件与第2推压构件,前述基板处理方法包括下列步骤:使前述连结构件移动,并使前述第1推压构件与前述第1支持构件相向;及使前述连结构件移动,并使前述第2推压构件与前述第2支持构件相向。图式简单说明:第1图系显示与本发明一实施形态相关涂布显像处理装置的整体构造之平面图。第2图系第1图所示之涂布显像处理装置的正视图。第3图系第1图所示之涂布显像处理装置的后视图。第4图系显示与本发明一实施形态相关之减压乾燥单元的透视图。第5图系第4图所示之减压乾燥单元的截面图。第6图系第4图所示之减压乾燥单元的截面图。第7图系显示2面基板之制品领域的平面图。第8图系显示3面基板之制品领域的平面图。第9图系显示处理2面基板之减压乾燥单元的动作。第10图系显示处理3面基板之减压乾燥单元的动作。第11图系显示处理5面基板之减压乾燥单元的截面图。第12图系与本发明其他实施形态相关之处理单元的板之平面图。第13图系显示第12图所示之处理单元的截面图。第14图系显示设于光阻剂处理区块之搬送机器人的平面图。
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