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发明名称 METHOD FOR FABRICATING ELEVATED SALICIDE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
申请公布号 KR20050071786(A) 申请公布日期 2005.07.08
申请号 KR20040000100 申请日期 2004.01.02
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 CHUNG, WOO YOUNG;RYOU, CHOONG RYUL;PARK, CHANG HYUN
分类号 H01L21/24;(IPC1-7):H01L21/24 主分类号 H01L21/24
代理机构 代理人
主权项
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