| 主权项 |
1.一种照明系统,包括:一辐射源,建构以产生一辐射光束,及二真空室,由一具有一通道结构的室侧壁隔开,该结构包括由室侧壁隔开之相邻狭窄通道,其系实质上与该辐射的传播方向平行,以便从其中一真空室将该辐射传递至另一真空室,该传播方向实质上系沿该装置的一光轴,其特征为沿该通道的宽度会根据通过发散或聚合辐射光束而沿该光轴分别增加或减少。2.如申请专利范围第1项之照明系统,其特征为该通道结构包括一蜂窝结构。3.如申请专利范围第1或2项之照明系统,其特征为该通道垂直于该光轴径向的断面尺寸大于围绕该光轴切线方向中该通道的其他断面尺寸。4.如申请专利范围第3项之照明系统,其特征为该切线方向的该宽度范围为0.1至2mm。5.如申请专利范围第3项之照明系统,其特征为该切线方向的该宽度范围为0.2至0.7mm。6.如申请专利范围第3项之照明系统,其特征为该径向的该宽度范围为5至50mm。7.如申请专利范围第3项之照明系统,其特征为该径向的该宽度范围为10至30mm。8.如申请专利范围第1或2项之照明系统,其特征为该通道的长度范围为5至70mm。9.如申请专利范围第1或2项之照明系统,其特征为该通道的长度范围为10至40mm。10.如申请专利范围第1或2项之照明系统,其中该装置进一步包括包含在其中真空室内之一辐射源。11.如申请专利范围第1或2项之照明系统,其中该辐射源系一电浆源,用于产生极限紫外线辐射。12.如申请专利范围第11项之照明系统,其特征为该辐射源系一放电电浆源。13.如申请专利范围第1或2项之照明系统,其特征为该辐射系极限紫外线辐射具有波长范围为0.5至50nm。14.如申请专利范围第1或2项之照明系统,其特征为该辐射系极限紫外线辐射具有波长范围为5至20nm。15.如申请专利范围第1或2项之照明系统,其特征为该通道侧壁会反射投影光束辐射。16.如申请专利范围第15项之照明系统,其特征为该通道侧壁涂布一钼层。17.一种微影投影装置,包括:-一照明系统,建构及配置以供应一辐射投影光束;-一遮罩台,建构以固定一遮罩;-一基板台,建构以固定一基板;及-一投影系统,建构及配置以成像该遮罩之一照射部份至该基板的目标部份中;其特征为该照明系统系如申请专利范围第1至16项中任一项之系统。18.一种在基板的至少一层内包括元件特征之制造元件方法,该方法包括至少下面连续步骤的至少一组步骤:-提供一遮罩图样,其包括对应欲配置在该基板层中之元件特征之图样特征;-利用一照明系统照射该遮罩图样;-利用一投影系统成像该遮罩图样至涂布在基板上的一光阻层;-显影该光阻层,及-移除材料或添加材料至基板区;该区系由配置于该光阻层中之图样描绘,其特征为使用如申请专利范围第1至16项中任一项之照明系统。图式简单说明:图1显示一微影投影装置的具体实施例,其中可使用本发明;图2显示各真空室或箱,由图1装置的室侧壁隔离;图3显示一部分图2部件之详细配置;图4显示如图3所示室侧壁内的通道结构透视图;图5显示如图3所示室侧壁内的极限紫外线辐射透明结构之进一步透视图;图6显示对称辐射源LA,其配置系根据该通道结构对称;及图7显示材料钼、钌、钨及铁在入射余角为0.5的13.5nm辐射的反射系数R,作为壁表面rms表面粗糙度的函数。 |
