超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法与结构

摘要

本发明提供一种超薄晶圆级堆叠晶粒封装方法与结构。此方法先将一已制备有复数个基底晶粒之第一晶圆，选择性地胶合到晶粒大小及位置等预先设计好之匹配之一第二基板上，再将第一晶圆之厚度研磨变薄。再切割选择性黏合之晶圆中之第一晶圆，可避免直接切割研磨后之第一晶圆厚度太薄所产生之问题。再将所需接合之堆叠晶粒接合后，最后封装所得之一积体电路(IC)中至少包括一基底晶粒与一个或复数个堆叠晶粒，且其大小即为基底晶粒与堆叠后之堆叠晶粒超出部分之和之大小，其厚度为第二基板之厚度与研磨后基底晶粒以及黏胶之厚度和，接近传统晶圆之厚度，以利封装之进行。因此，透过本发明之晶粒封装方法，可以得到一堆叠晶粒封装结构，可用以将不同制程所得之晶粒封装在一起，藉此可组合不同晶圆流程之晶粒，以及以堆叠技术达成封装时轻薄短小之需求。若再加上，在提供该些堆叠晶粒或基底晶粒之步骤中，先进行检测已知良品(KGD)之制程，则更可提高本发明制程之良率，并节省成本。