发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 本发明系旨在经由去除对铜膜进行化学机械研磨后残留于绝缘膜上之水分,防止铜迁移到绝缘膜上,以防止配线之间的短路。半导体装置之制造方法,在基板上的绝缘膜形成配线沟之后,以将配线沟埋入绝缘膜上之方式形成铜膜。接着,研磨存在于配线沟外部之铜膜部分形成配线后,对基板施行洗净处理。其后,在真空状态下去除露出于配线之间的绝缘膜部分附近之残留水分。
申请公布号 TW200529314 申请公布日期 2005.09.01
申请号 TW094105657 申请日期 2005.02.24
申请人 松下电器产业股份有限公司 发明人 大塚英树;青木则茂;今井伸一
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本