| 摘要 |
本发明揭示包括在一垂直方向延伸自一半导体基底的一闸极结构的一种金氧半导体电晶体。该闸极结构包括在一垂直方向延伸自该基底的一闸极电极，及包围该闸极电极的一闸极绝缘层。一通道图案包围该闸极绝缘层，及一第一导电图案在一垂直该通道图案的第一方向延伸自该通道图案的一下部部分，且与该基底平行。一第二导电图案在一垂直该通道图案的第二方向延伸自该通道图案的一上部部分，且与该基底平行。因此，该金氧半导体电晶体的通道长度系根据介于该第一及第二导电图案之间的一距离而决定，且该金氧半导体电晶体的通道宽度系藉由该闸极结构的一直径而决定。 |
