| 主权项 |
1.一种光学式可记录媒体,该光学式可记录媒体至少具有一记录层,该记录层位于一第一透明基底之上,该记录层结构依序至少包括:一第一透明层;一第一半反射层;一第一介电层;一反射层;以及一材质层,当一写入光束照射该记录层,该第一半反射层与该第一透明层反应生成一第二半反射层而反转该记录层之反射特性。2.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,其中形成该第一透明层的材质系选自于矽、锗、磷化锗、磷化铟、砷化镓、砷化铟、铋镓合金、铋铟合金及其任意组和所组成之族群。3.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,该第一透明层的厚度约介于1奈米至200奈米之间。4.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,其中形成该第一半反射层的材质系选自于银、铝、金、铬、铜、铟、铱、镍、铂、铼、铑、锡、钽、钨、其任意组合之合金及其任意组合所组成之族群。5.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,该第一半反射层的厚度约介于5奈米至100奈米之间。6.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,其中形成该反射层的材质系选自于银、铝、金、铬、铜、铟、铱、镍、铂、铼、铑、锡、钽、钨、其任意组合之合金及其任意组合所组成之族群。7.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,其中形成该介电层的材质系选自于锌、铝、铟、锡、钛、镁、矽之氧化物、硫化物及其任意组合所组成之族群。8.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,其中形成该介电层的材质更包括一有机介电层。9.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,该介电层的厚度约介于1奈米至300奈米之间。10.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,其中反转该记录层之反射特性,系因该第二半反射层之生成而造成读取光束之光波相位移所致。11.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,该材质层可以为一保护层或一第二透明基板。12.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,更包括在形成该第一透明层前,先形成一第二介电层,其中该第二介电层的厚度介于5奈米至200奈米之间。13.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,更包括在形成该第一透明层前,先形成一第三半反射层,其中该第三半反射层厚度介于5奈米至100奈米之间。14.如申请专利范围第1项所述之光学式可记录媒体,更包括在形成该第一介电层前,先形成一第二透明层,其中该第二透明层厚度介于5奈米至50奈米之间。图式简单说明:第1图系绘示根据本发明所揭露之光学式可记录媒体之剖面示意图;第2图系绘示本发明所揭露之光学式可记录媒体写入资料后的剖面示意图;第3图系绘示本发明实施例4所揭露之光学式可记录媒体之剖面示意图;第4图系绘示本发明实施例5所揭露之光学式可记录媒体之剖面示意图;以及第5图系绘示本发明实施例6所揭露之光学式可记录媒体之剖面示意图。 |
