具有不对称电荷捕获之多态记忆体单元

摘要

一种多态NAND记忆体单元系由两个在基底中的汲极／源极区域所构成。在汲极／源极区域之间，一种氧化物–氮化物–氧化物结构形成于该基底之上。该氮化物层做为一种不对称电荷之捕捉层。一个控制闸极系定位于氧化物–氮化物–氧化物结构上方。汲极／源极区域上的不对称偏压会致使汲极／源极区域以较高的电压藉由闸极感应汲极泄漏注入实质邻接于汲极／源极区域的捕捉层之中而注入不对称分布电洞。