发明名称 | 具增层结构之半导体封装件及其制法 | ||
摘要 | 本发明系有关一种具增层结构(Build–up layer)之晶圆级半导体封装件(Wafer–Level Semiconductor Package),其系包括硬质底座,固定于该硬质底座上且具贯穿孔之硬质框架(Frame),至少一收纳于该硬质框架之贯穿孔中之晶片,一充填于该晶片与硬质框架间之间隙(Spacing)中之介质(Interface),一形成于该晶片与硬质框架上且与晶片电性连接之增层结构,以及多数焊设于该增层结构上以供该晶片藉之与外界装置(External Devices)电性连接之导电元件;藉由该硬质底座及硬质框架之使用,本发明之晶圆级半导体封装件可避免结构翘曲(StructuralWarpage)、碎裂(Crack)及脱层(Delamination)、气爆(Popcorn)之问题。本发明更进一步提供该晶圆级半导体封装件之制法。 | ||
申请公布号 | TW200532819 | 申请公布日期 | 2005.10.01 |
申请号 | TW093108068 | 申请日期 | 2004.03.25 |
申请人 | 矽品精密工业股份有限公司 | 发明人 | 黄建屏;萧承旭;黄致明 |
分类号 | H01L21/56 | 主分类号 | H01L21/56 |
代理机构 | 代理人 | 陈昭诚 | |
主权项 | |||
地址 | 台中县潭子乡大丰路3段123号 |