发明名称 半导体装置之制造方法
摘要 本发明之半导体装置之制造方法可缩短半导体装置之交货期。在光罩基板2之主面上形成包含光阻膜之遮光膜5、与将该遮光膜5之一部分开口所形成之透光图案6a,以覆盖该遮光膜5之方式形成平坦性膜8,再于该平坦性膜8之平坦之面上形成包含光阻膜之移相器7a。在曝光之际,虽形成同一尺寸、形状及配置之光罩图案,但以使移相器反转配置之方式将多数转印区域在同一位置重叠曝光。藉此,将线图案转印于半导体晶圆上之正型光阻膜上。
申请公布号 TW200532784 申请公布日期 2005.10.01
申请号 TW093131216 申请日期 2004.10.14
申请人 瑞萨科技股份有限公司 发明人 早野胜也;长谷川昇雄
分类号 H01L21/30 主分类号 H01L21/30
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本