| 主权项 |
1.一种光感式半导体结构,系包括:胶片载具,系具有一第一表面、相对之第二表面与贯穿该胶片载具的开口,且该第一表面上系敷设有多数延伸至该开口中的导电件;光感式晶片,系具有一作用表面与一非作用表面,且该作用表面上系形成有多数个导电凸块(Stud Bump),以藉该导电凸块分别接合于该导电件上,并令该光感式晶片容设于该胶片载具之开口中;透光单元,系接置于该胶片载具之第一表面上以封盖住该开口;封装胶体,系包覆于该胶片载具之部分第二表面上以封盖住该开口;以及透镜载具,系具有一透镜(Lens),且接置于该胶片载具之第一表面上,而令该透光单元位列于该透镜与该光感式晶片之作用表面间。2.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该导电件系为一内导脚(Inner Lead)。3.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该导电件系以铜材料制成。4.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该导电凸块系藉焊线(Wire Bonding)技术而成形。5.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该导电凸块系选自金、铝、或铜材料之其中一者。6.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该导电凸块系藉胶片自动接合(TAB)之内导脚焊结技术(ILB)而接置于该导电件上。7.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该导电凸块系藉热压接合(Thermo-compression Bonding)技术而接置于该导电件上。8.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该透光单元系为一玻璃片(Glass)。9.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该透光单元系为一红外线滤光片(IR Filter)。10.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该透光单元系为一涂布于该胶片载具上的透光材料层。11.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该封装胶体系部份包覆于该光感式晶片之非作用表面上。12.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该封装胶体系完全包覆于该光感式晶片之非作用表面上。13.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该光感式晶片之作用表面上系具有一感光区。14.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该光感式晶片系为一影像感测器(Image Sensor)。15.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该光感式晶片系为一发光二极体(LED)。16.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该透镜系为一焦距可调式透镜。17.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该透镜系以螺纹接合方式接置于该透镜载具中,且系可藉其螺纹接合方式而调整该透镜之焦距。18.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该透镜载具中复包括有一介于该透镜与该光感式晶片间的透光单元。19.如申请专利范围第1项之光感式半导体结构,其中,该半导体结构复包括一接置于该胶片载具之第二表面上以包覆该光感式晶片的晶片盖(Chip Cover)。20.一种光感式半导体结构之制法,其步骤系包括:制备一胶片载具,该胶片载具系具有一第一表面、相对之第二表面与贯穿该胶片载具的开口,且该第一表面上系敷设有多数延伸至该开口中的导电件;制备一光感式晶片,该光感式晶片系具有一作用表面与一非作用表面;于该光感式晶片之作用表面上形成多数个导电凸块(Stud Bump);藉该导电凸块而将该光感式晶片接合于该胶片载具之导电件上,以令该光感式晶片容设于该胶片载具之开口中;于该胶片载具之部分第二表面上包覆一封装胶体,且于该胶片载具之第一表面上接置一透光单元,以封盖住该开口;以及于该胶片载具之第一表面上接置一透镜载具,以令该透光单元位列于该透镜载具之透镜(Lens)与该光感式晶片之作用表面间。21.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该导电件系为一内导脚(Inner Lead)。22.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该导电件系以铜材料制成。23.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该导电凸块系藉焊线(Wire Bonding)技术而成形。24.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该导电凸块系选自金、铝、或铜材料之其中一者。25.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该导电凸块系藉胶片自动接合(TAB)之内导脚焊结技术(ILB)而接置于该导电件上。26.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该导电凸块系藉热压接合(Thermo-compressionBonding)技术而接置于该导电件上。27.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该透光单元系为一玻璃片(Glass)。28.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该透光单元系为一红外线滤光片(IR Filter)。29.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该透光单元系为一涂布于该胶片载具上的透光材料层。30.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该封装胶体系部份包覆于该光感式晶片之非作用表面上。31.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该封装胶体系完全包覆于该光感式晶片之非作用表面上。32.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该光感式晶片之作用表面上系具有一感光区。33.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该光感式晶片系为一影像感测器(ImageSensor)。34.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该光感式晶片系为一发光二极体(LED)。35.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该透镜系为一焦距可调式透镜。36.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该透镜系以螺纹接合方式接置于该透镜载具中,且系可藉其螺纹接合方式而调整该透镜之焦距。37.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该透镜载具中复包括有一介于该透镜与该光感式晶片间的透光单元。38.如申请专利范围第20项之光感式半导体结构制法,其中,该半导体结构复包括一接置于该胶片载具之第二表面上以包覆该光感式晶片的晶片盖(Chip Cover)。图式简单说明:第1A至1I图系本发明之光感式半导体结构的较佳实施例之制法流程图;第2图系本发明较佳实施例之胶片载具的上视图;第3A至3E图系本发明较佳实施例之突出凸块的制法流程图;第4图系形成于晶片上之突出凸块的位置示意图;第5图系第2图所示之胶片载具于接合晶片后之上视图;第6图系本发明较佳实施例的透镜件与透镜座之示意图;第7图系本发明之第二实施例的剖视图;第8图系本发明之第三实施例的剖视图;第9图系本发明之第四实施例的剖视图;第10图系本发明之第五实施例的剖视图;第11图系习知光感式半导体封装件的剖视图;第12图系第11图所示之半导体封装件的影像感测模组剖视图;第13图系美国专利第6,586,824号案所揭示之封装件剖视图;第14图系美国专利公开号第2002/0171031号案所揭示之封装件剖视图;第15图系美国专利公开号第2002/0096731号案所揭示之封装件剖视图;以及第16图系美国专利第6,548,759号案所揭示之封装件剖视图。 |
