发明名称 反向器驱动电路、及具备其之互补型金属氧化物半导体输出电路以及开关稳压器
摘要 本发明之目的为,在CMOS反向器之驱动电路方面,不扩大电路规模而防止贯通电流。此CMOS输出反向器电路1系包含MOS电晶体M11及M12。反向器驱动电路2系包含:第一CMOS电路2A,其系由MOS电晶体M21及M22所构成者;及第二CMOS电路2B,其系由MOS电晶体M31及M32所构成者。如MOS电晶体M11及M12之各闸极输入电容分别为C11、C12,MOS电晶体M21、M22、M31、M32之各ON电阻分别为R21、R22、R31、R32,则进行设定使R32˙C12<R22˙C11、且R21˙C11<R31˙C12。由于MOS电晶体M11、M12分别变成ON之时点系比M12、M11变成OFF之时点迟,故MOS电晶体M11及M12不会同时变成ON,不会产生贯通电流。
申请公布号 TW200534583 申请公布日期 2005.10.16
申请号 TW094106095 申请日期 2005.03.01
申请人 罗沐股份有限公司 发明人 木谷裕史
分类号 H03K19/17 主分类号 H03K19/17
代理机构 代理人 陈长文
主权项
地址 日本