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发明名称
三次元积体电路架构与形成方法3D IC ARCHITECTURE AND THE METHOD OF FORMING THE SAME
摘要
一种三次元(3 Dimensional;3D)积体电路(Integrated Circuit;IC)架构与形成方法,其藉由薄化(thinning)的积体电路元件,并透过复数个接触垫(contact pad)贯穿积体电路元件上下两侧以及在此等接触垫表面形成复数个凸块(bump),藉此提供连接上下之积体电路元件以形成三次元(或又称为积层型(stack))积体电路架构。
申请公布号
TW200534412
申请公布日期
2005.10.16
申请号
TW093109245
申请日期
2004.04.02
申请人
刘鸿源
发明人
刘鸿源
分类号
H01L21/60
主分类号
H01L21/60
代理机构
代理人
陈达仁;谢德铭
主权项
地址
桃园县杨梅镇永美路193号
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