高功率发光二极体封装结构

摘要

本创作系提供一种高功率的发光二极体的封装结构，以对发光二极体提供对外的电气连接、以及良好的散热。本创作所提出的结构包含一预设有电气接点、中有穿透孔的电路板、一由一柱体与一底板所一体成型构成的、具高热传导性的基座、一中有穿透孔、周边预设有电气接点的基板、以及一透明保护体。实施时，电路板与基板穿过基座的柱体而堆叠于基座的底板上，二极体晶片设置基座的柱体顶端，并以导线建立与电路板的电气连接，再于电路板与基板的之间建立电气连接，最后再以透明保护体将二极体晶片与导线封固起来。本创作并可于基座的柱体顶端设置多个二极体晶片，并在电路板与基板上设置对应的多组电气接点而达到多晶片的封装，并因电路板将电气线路的导出进而可达成多功能的线路控制系统。

主权项

1.一种高功率发光二极体封装结构,系提供M(1≦M≦N,N≧1)个发光二极体晶片对外之电气连接与散热,其至少包含:一基座,系由一高热传导性材质构成,该基座包含一柱体与一底板,该柱体之一第一端与该底板之一表面接合,该柱体之另一第二端之表面积至少大于N个该二极体晶片之面积和,该M个二极体晶片系设置于该柱体之该第二端表面上;一基板,该基板包含一第一穿透孔与N组第一电气接点,该第一穿透孔之尺寸形状与该柱体相配,该基板系位于该底板之该表面上,该柱体由该第一穿透孔穿过;一电路板,该电路板具有一第二穿透孔与N组第二电气接点,该第二穿透孔之尺寸形状与该柱体相配、该电路板系位于该基板之上,其面积小于该基板,该柱体由该第二穿透孔穿过,该M个二极体晶片之正负极与该N组第二电气接点其中M组之间分别建立有电气连结,该M组第二电气接点则与该基板之该N组第一电气接点其中M组建立有电气连接;以及一透明保护体,系位于该封装结构之最上层,至少将该M个二极体晶片、以及该M个二极体晶片之正负极与该M组第二电气接点之间建立之电气连结包覆在内;其中,该柱体高度与该基板与该电路板厚度之和大致相同。2.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体封装结构,其中该基座之该柱体与该底板系一体成型所形成。3.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体封装结构,其中该高热传导性材质系铜。4.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体封装结构,其中该基板系以铝为材质,在未有该N组第一电气接点处涂布有绝缘材料。5.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体封装结构,其中该M个二极体晶片之正负极与该M组第二电气接点之间建立之电气连结系导线。6.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体封装结构,其中该M组第一电气接点与该M组第二电气接点之间建立之电气连结系焊锡。7.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体封装结构,其中该M个二极体晶片系以绝缘之黏着剂固设于该柱体之该第二端表面。8.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体封装结构,其中该基板与该底板之间、以及该电路板与该基板之间系以黏着剂固定。9.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体封装结构,其中该透明保护体系以环氧树酯构成。10.如申请专利范围第1项所述之高功率发光二极体封装结构,其中该透明保护体系预先射出成型的透明保护镜罩。图式简单说明:第1a图系一习知之高功率发光二极体封装结构之立体示意图。第1b图系第1a图之封装结构完成后之立体示意图。第1c图系第1b图之封装结构与一基板结合后之上视示意图。第1d图系第1b图之封装结构与一基板结合后之侧视示意图。第2a图系依据本创作一实施例之高功率发光二极体封装结构之立体示意图。第2b图系第2a图之封装结构之水平虚线之剖视示意图。第2c图系第2a图之封装结构之上视示意图。第2d图系第2a图之封装结构用于四个二极体晶片封装之上视示意图(没有绘出透明保护体以及基板)。