发明名称 PROCEDE DE FABRICATION DE PUCES ET SUPPORT ASSOCIE
摘要 <P>L'invention concerne un procédé de fabrication d'une pluralité de puces, chaque puce comportant au moins un circuit, le procédé comportant la succession des étapes suivantes :• Création des puces sur une couche de matériau semiconducteur, ladite couche étant solidaire d'un substrat,• transfert de ladite couche comportant les puces du substrat sur un support,• constitution de puces individuelles par le découpage de ladite couche selon un motif de découpage prédéterminé,caractérisé en ce que le procédé comporte également, avant le transfert de la couche sur le support, la constitution sur le support d'un motif de fragilisation correspondant au motif de découpage.L'invention concerne également un procédé de fabrication d'un support associé, et un tel support.</P>
申请公布号 FR2869455(A1) 申请公布日期 2005.10.28
申请号 FR20040004437 申请日期 2004.04.27
申请人 S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES SOCIETE ANONYME 发明人 GHYSELEN BRUNO;RAYSSAC OLIVIER
分类号 H01L21/68;H01L21/78;(IPC1-7):H01L21/301 主分类号 H01L21/68
代理机构 代理人
主权项
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