| 摘要 |
藉由监视外部电位EXTVDD之监视器电路(43)及可变延迟电路(44)，并依照外部电位EXTVDD之电位，而决定信号ZODACT之L位准的期间，则可以使外部电位EXTVDD之供给期间动态地变化。在外部电位EXTVDD超过规格之上限的情况下，因为供给期间变短，所以可以防止对记忆单元或位元线的过度充电，在外部电位EXTVDD为规格下限之情况时，因为供给期间变长，所以可以确保充分之过驱动期间。在确保记忆单元之可靠度的同时，可以在外部电位EXTVDD之规格的全体区域进行高速之读出动作。因此可以提供确保可靠度并进行高速之读出动作的半导体记忆装置。 |
