发明名称 DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR
摘要 Un dispositif à semiconducteur comprend : une couche semiconductrice ; un corps empilé ; et un plot d'électrode placé sur le corps empilé. Ce dernier est disposé sur la couche semiconductrice et possède plusieurs couches empilées. Le plot d'électrode est placé sur le corps empilé. Le corps empilé possède une région (116) disposée en dessous du plot d'électrode et une région qui n'est pas placée en dessous du plot d'électrode, et toute partie faite de matériau isolant de la région se trouvant en dessous du plot d'électrode, à l'exception d'une couche de fiche de contact située directement au-dessus de la couche semiconductrice dans le corps empilé, est entourée par une interconnexion métallique possédant une structure fermée dans cette même couche.
申请公布号 FR2870385(A1) 申请公布日期 2005.11.18
申请号 FR20040013597 申请日期 2004.12.20
申请人 SEMICONDUCTOR LEADING EDGE TECHNOLOGIES INC 发明人 TSUDA HIROSHI
分类号 H01L23/12;H01L21/60;H01L21/768;H01L23/485;H01L23/528;H01L27/14;(IPC1-7):H01L21/768 主分类号 H01L23/12
代理机构 代理人
主权项
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