发明名称 |
多成分磁場センサー |
摘要 |
本発明は、磁場の2つ又は3つの成分を測定するための磁場センサー装置(10)に関する。このため、装置(10)は、2つのハーフブリッジ(16)を有する少なくとも1つのホイートストンブリッジ(14)を備え、各ハーフブリッジ(16)は、少なくとも2つのブリッジ抵抗器(30)を有し、2つのブリッジ抵抗器(30)の少なくとも1つは、X/Y磁場センサー面(20)に位置する磁場成分(34)に関する磁場感応性抵抗器(18)である。2つの磁場感応性ブリッジ抵抗器(18)間に、強磁性体の磁束集中素子(22)が対称に配置され、磁束集中素子(22)は、X/Y磁場センサー面(20)に対して垂直に配向されたZ磁場成分(24)に対して非対称な磁場成分と、X/Y磁場センサー面(20)に位置する磁場成分とを生成する。付加的な観点は、このような磁場センサー装置(10)により外部磁場の2次元又は3次元の配向を決定するための方法を提案する。【選択図】図12 |
申请公布号 |
JP2016529492(A) |
申请公布日期 |
2016.09.23 |
申请号 |
JP20160528465 |
申请日期 |
2014.07.18 |
申请人 |
ゼンジテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングSensitec GmbH |
发明人 |
ウェーバー,セバスチャン;グレンスケ,クラウディア;ロレイト,ウヴェ |
分类号 |
G01R33/02;G01R33/09;H01L43/08 |
主分类号 |
G01R33/02 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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