发明名称 多成分磁場センサー
摘要 本発明は、磁場の2つ又は3つの成分を測定するための磁場センサー装置(10)に関する。このため、装置(10)は、2つのハーフブリッジ(16)を有する少なくとも1つのホイートストンブリッジ(14)を備え、各ハーフブリッジ(16)は、少なくとも2つのブリッジ抵抗器(30)を有し、2つのブリッジ抵抗器(30)の少なくとも1つは、X/Y磁場センサー面(20)に位置する磁場成分(34)に関する磁場感応性抵抗器(18)である。2つの磁場感応性ブリッジ抵抗器(18)間に、強磁性体の磁束集中素子(22)が対称に配置され、磁束集中素子(22)は、X/Y磁場センサー面(20)に対して垂直に配向されたZ磁場成分(24)に対して非対称な磁場成分と、X/Y磁場センサー面(20)に位置する磁場成分とを生成する。付加的な観点は、このような磁場センサー装置(10)により外部磁場の2次元又は3次元の配向を決定するための方法を提案する。【選択図】図12
申请公布号 JP2016529492(A) 申请公布日期 2016.09.23
申请号 JP20160528465 申请日期 2014.07.18
申请人 ゼンジテック ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングSensitec GmbH 发明人 ウェーバー,セバスチャン;グレンスケ,クラウディア;ロレイト,ウヴェ
分类号 G01R33/02;G01R33/09;H01L43/08 主分类号 G01R33/02
代理机构 代理人
主权项
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