エンハンスメントモードＧａＮトランジスタの自己整合レッジを有するゲート

摘要

ゲートコンタクトと２ＤＥＧ領域との間のゲートリーク電流が小さいエンハンスメントモードＧａＮトランジスタと、その生産方法とを提供する。エンハンスメントモードＧａＮトランジスタは、ＧａＮ層と、ＧａＮ層上に配置されたバリア層とを有し、２ＤＥＧ領域がＧａＮ層とバリア層との間に形成され、ソースコンタクトとドレインコンタクトがバリア層上に配置されている。ＧａＮトランジスタは、さらに、バリア層の上かつソースコンタクトとドレインコンタクトの間に形成されたＰ型ゲート材料と、Ｐ型ゲート材料上に配置されたゲート金属とを含み、Ｐ型材料はソースコンタクトとドレインコンタクトの方に向かって伸びる一組の自己整合レッジ（ｓｅｌｆ−ａｌｉｇｎｅｄ ｌｅｄｇｅｓ）を含む。