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发明名称 METHOD FOR FORMING METAL LOWER ELECTRODE OF A CAPACITOR AND SELECTIVE METAL ETCHING METHOD THEREFOR
摘要
申请公布号 KR20050116282(A) 申请公布日期 2005.12.12
申请号 KR20040041437 申请日期 2004.06.07
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 PARK, YOUNG RAE;KOH, YOUNG HO;HONG, CHANG KI
分类号 H01L21/3205;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/8242;H01L23/52;H01L27/108;(IPC1-7):H01L27/108 主分类号 H01L21/3205
代理机构 代理人
主权项
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