用以测量一反及快闪记忆体装置之临限电压之方法

摘要

本发明揭示一种用以到量一反及快闪记忆体装置之临限电压之方法。在该方法中，一测试电压被施加至多个所选记忆体单元之一字线的一分布曲线。一加总一通电压(pass voltage)及一操作电压(operation voltage)之电压被施加至多个取消选择之记忆体单元的多个字线。该操作电压被施加至一井及一共同源极线。一加总一预充电电压(precharge voltage)及该操作电压之电压被施加至一位元线。之后，得以侦测该位元线上的电压变化，藉此测量一记忆体单元的一临限电压。根据该位元线之电压变化，藉由从该测试电压减去该操作电压来设定一电压，利用该电压当做该记忆体单元之该临限电压，且藉由参考该电压来施加一正电压，而得以测量一负临限电压。

主权项

1.一种用以测量一反及快闪记忆体装置之临限电 压之方法,该反及快闪记忆体装置包括:复数个单 元串,每个单元串都具有串联连接的复数个记忆体 单元;该等单元串的多个共同汲极节点;该等单元 串的多个共同源极节点;多个字线,用于选择该等 记忆体单元;以及一半导体基板之一井,会在该井 中形成该记忆体单元,该方法包括下列步骤: 施加一操作电压至该井及该共同源极节点; 施加一测试电压至一所选记忆体单元的字线,该测 试电压被指定用于测量一临限电压; 施加一电压至多个取消选择之记忆体单元的多个 字线,该电压系藉由加总一通电压及一操作电压而 获得之电压; 施加一电压至该共同汲极节点,该电压系藉由加总 一预充电电压及该操作电压而获得之电压;以及 侦测该共同汲极节点上的电压变化。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中该测试电压为 0V至10V;该操作电压为3V至4V;该通电压为4V至6V;以及 该预充电电压为1V至2V。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中透过一虚拟电 源输入端子,藉由加总该预充电电压及该操作电压 而获得之该电压被施加至该共同汲极节点,以起始 该共同汲极节点。 4.一种用以测量一反及快闪记忆体装置之临限电 压之方法,该反及快闪记忆体装置包括:复数个单 元串,每个单元串都具有串联连接的复数个记忆体 单元;复数个位元线,该等位元线连接至该等单元 串的多个共同汲极节点;一共同源极线,该共同源 极线连接至该筝单元串的多个共同源极节点;多个 字线,该等字线相交于该等位元线,而得以选择该 等记忆体单元;以及一半导体基板之一井,会在该 井中形成该记忆体单元,该方法包括下列步骤: 施加一操作电压至该井; 施加一藉由加总一预充电电压及该操作电压而获 得之电压至该位元线,施加一测试电压至一所选字 线,施加一藉由加总一通电压及该探作电压而获得 之电压至多个取消选择之字线,并且施加该操作电 压至该共同源极线;以及 在一读取作业期间侦测该位元线之一电压变化之 后,当该位元线上无电压变化时,将一所选记忆体 单元之一临限电压识别为一藉由从该测试电压减 去该操作电压所获得的値,而当该位元线的电压递 减时,则将该测试电压增加一预先决定电压位准。 5.如申请专利范围第4项之方法,其中该到试电压为 0V至10V;该操作电压为3V至4V;该通电压为4V至6V;以及 该预充电电压为1V至2V。 6.如申请专利范围第5项之方法,其中透过一虚拟电 源输入端子,藉由加总该预充电电压及该操作电压 而获得之该电压被施加至该共同汲极节点,以起始 该共同汲极节点。 图式简单说明: 图1显示根据本发明之测量一反及快闪记忆体装置 中临限电压之方法的概要图。 图2显示根据本发明之快闪记忆体装置的电路图。 图3显示根据本发明之快闪记忆体装置中之节点处 讯号的时序图。 图4显示根据本发明之测量临限电压之方法的流程 图。 图5显示从根据本发明之测量临限电压之方法所获 得的快闪记忆体装置中临限电压之分布曲线图表 。