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发明名称
遮罩布局的形成方法及利用该方法所形成的布局
摘要
一种形成遮罩布局的方法系包括提供一初始布局,其中一第一多边形的斜向图案系被反覆地配置在相对于垂直轴方向的斜向方向上。修正该第一多边形之斜向图案之相对的边缘侧缘,因此在该水平方向上延伸的第二多边形系堆叠在该第一多边形之斜向图案之相对的边缘侧缘,藉以形成一阶梯形状的布局。在该水平轴方向上切割该多边形,藉以提供具有该修正布局的资料给一电子束曝光系统。该第一多边形的斜向图案系遵循6F2单元布局或者4F2单元布局来定义出一记忆体装置的作用区和装置隔离层。
申请公布号
TWI320873
申请公布日期
2010.02.21
申请号
TW096106418
申请日期
2007.02.26
申请人
海力士半导体股份有限公司
发明人
姜春守;南炳燮
分类号
G03F1/14
主分类号
G03F1/14
代理机构
代理人
何金涂
主权项
一种形成遮罩布局的方法,该方法包括:提供一初始布局,其中一第一多边形的斜向图案系被反覆地配置在相对于垂直轴方向的斜向方向上;修正该第一多边形之斜向图案之相对的边缘侧缘,因此在该水平方向上延伸的第二多边形系堆叠在该第一多边形之斜向图案之相对的边缘侧缘,藉以形成一阶梯形状的布局;以及在该水平轴方向上切割该多边形,藉以提供具有该修正布局的资料给一电子束曝光系统。
地址
南韩
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