发明名称 Surface treated nanocrystal quantum by hologen dots and Surface treatment of nanocrystal quantum dots by using halogen atom for surface stabilization
摘要 본 발명은 나노결정 양자점의 표면 안정화를 위한 할로겐 표면 치환 방법 및 그에 따라 할로겐 표면 처리된 나노결정 양자점에 관한 것으로서, 쉘의 표면에 유기 리간드가 결합되어 있는 나노결정 양자점을 준비하는 단계, 상기 나노결정 양자점을 할로겐 용액에 접촉시켜 유기 리간드를 할로겐 물질로 치환시키는 단계 및 상기 나노결정 양자점을 세정하여 불순물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 유기물 리간드를 무기물형태의 할로겐물질로 대체함으로써 산화안정성 및 효과적인 전자/정공의 주입이 가능하고, LCD 부품소재 산업에서 현재 활용되는 QDEF 기술 및 QD rail 기술에 손쉽게 적용가능한 것으로 파급효과가 클 것으로 기대된다.
申请公布号 KR20160135874(A) 申请公布日期 2016.11.29
申请号 KR20150068656 申请日期 2015.05.18
申请人 KYUNGPOOK NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY-ACADEMIC COOPERATION FOUNDATION 发明人 KANG, SHIN WON;KANG, BYOUNG HO;LEE, SANG WON;LEE, JAE SUNG;CHA, SEUNG HWAN
分类号 C09K11/00;C09K11/02;C09K11/61 主分类号 C09K11/00
代理机构 代理人
主权项
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