| 发明名称 | 一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置，将上芯片和下芯片之间的微铜柱对准，将上芯片和下芯片加热到倒装键合所需的温度60℃～220℃；将上芯片压在下芯片上，当施加在芯片上的压力达到预期的压力10MPa～30MPa时，开启超声电源并输出大功率1W～6W，并持续时间10ms～200ms；之后再将压力增大到20MPa～80MPa，超声输出功率降低到1W～3W，并保持时间100ms～2000ms，完成了上下芯片微铜柱之间铜铜直接热超声倒装键合。本发明是一种能保证键合界面微结构的形成以及键合后的强度和可靠性的微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法及其装置。 | ||
| 申请公布号 | CN106206339A | 申请公布日期 | 2016.12.07 |
| 申请号 | CN201610546341.8 | 申请日期 | 2016.07.12 |
| 申请人 | 中南大学 | 发明人 | 王福亮;陈卓;何虎;李军辉;朱文辉 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 长沙市融智专利事务所 43114 | 代理人 | 邓建辉 |
| 主权项 | 一种微铜柱间铜铜直接热超声倒装键合方法，其特征是：将上芯片和下芯片之间的微铜柱对准，将上芯片和下芯片加热到倒装键合所需的温度60℃～220℃；将上芯片压在下芯片上，当施加在芯片上的压力达到预期的压力10MPa～30MPa时，开启超声电源并输出大功率1W～6W，并持续时间10ms～200ms；之后再将压力增大到20MPa～80MPa，超声输出功率降低到1W～3W，并保持时间100ms～2000ms，完成了上下芯片微铜柱之间铜铜直接热超声倒装键合。 | ||
| 地址 | 410083 湖南省长沙市岳麓区麓山南路932号 | ||