发明名称 METHOD OF POLISHING A SUBSTRATE COMPRISING POLYSILICON SILICON OXIDE AND SILICON NITRIDE
摘要 폴리실리콘, 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드를 포함하는 기판을 제공하는 단계; 초기 성분으로서, 물; 마모제; 및 4 내지 100 탄소 원자를 갖는 비이온성 비환식 친수성 부분 및 아릴 환에 결합된 알킬 그룹을 갖는 소수성 부분을 갖는 알킬 아릴 폴리에테르 설포네이트; 및 다음의 화학식 I의 화합물을 포함하는 화학 기계적 연마 조성물을 제공하는 단계; 연마 표면을 갖는 화학 기계적 연마 패드를 제공하는 단계; 기판에 대해 연마 표면을 이동시키는 단계; 화학 기계적 연마 조성물을 연마 표면에 분배하는 단계; 및 기판을 연마하기 위하여 기판의 적어도 일부를 마모하는 단계를 포함하고, 여기에서, 폴리실리콘의 적어도 일부가 기판으로부터 제거되고; 기판에서 실리콘 옥사이드 및 실리콘 니트라이드의 적어도 일부가 제거되는, 화학 기계적인 기판 연마 방법이 제공된다:상기 화학식에서, R, R, R, R, R, R및 R각각은 화학식 -(CH)-을 갖는 브릿징 그룹이고, n은 1 내지 10으로부터 선택되는 정수이다.
申请公布号 KR101672811(B1) 申请公布日期 2016.11.04
申请号 KR20110022824 申请日期 2011.03.15
申请人 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 发明人 구오 이;루 젠동;칸차를라-아룬 쿠마르 레디;장 광윤
分类号 H01L21/304;B24B37/24;B24D18/00;C09G1/02;C09K3/14;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/3105 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人
主权项
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