| 发明名称 |
LIQUID PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD |
| 摘要 |
PURPOSE:A Epitaxial growth method which can obtain epitaxial layor having less lattice irregularity and contamination of inpurity from board. |
| 申请公布号 |
JPS51137374(A) |
申请公布日期 |
1976.11.27 |
| 申请号 |
JP19750061656 |
申请日期 |
1975.05.22 |
| 申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
发明人 |
YOSHIDA SUSUMU |
| 分类号 |
C30B19/00;C30B29/40;H01L21/208 |
主分类号 |
C30B19/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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