| 摘要 |
반도체 디바이스는 기판, 및 기판 상에 이격된 복수의 핀을 포함할 수 있다. 핀의 각각은 기판에서 수직 상향으로 연장하는 하부 반도체 핀 부분, 및 하부 핀 부분 상의 적어도 하나의 초격자 펀치-스루층을 포함할 수 있다. 초격자 펀치-스루층은 복수의 적층된 층 그룹을 포함할 수 있고, 초격자 펀치 스루층의 각각의 층 그룹은 인접한 베이스 반도체 부분의 결정 격자 내에 제한된 베이스 반도체 부분 및 적어도 하나의 비반도체 모노층을 규정하는 복수의 적층된 베이스 반도체 모노층을 포함한다. 각각의 핀은 또한 적어도 하나의 초격자 펀치 스루층 상의 그리고 그로부터 수직 상향으로 연장하는 상부 반도체 핀 부분을 포함할 수 있다. 반도체 디바이스는 또한 핀의 반대 단부에서 소스 및 드레인 영역, 및 핀 위에 가로놓인 게이트를 포함할 수 있다. |
