发明名称 PROCESSING METHOD FOR SEMICONDUCTOR WAFER
摘要 <p>PURPOSE:To prevent the anti-voltage deterioration by applying the laser scribe on both surfaces of the wafer.</p>
申请公布号 JPS52140275(A) 申请公布日期 1977.11.22
申请号 JP19760056550 申请日期 1976.05.19
申请人 HITACHI LTD 发明人 MORIYAMA KOUICHI;YAMAMOTO TOSHITAKA;OOTSUKI MINORU
分类号 H01L21/301;H01L21/302 主分类号 H01L21/301
代理机构 代理人
主权项
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