| 摘要 |
본 발명은 반도체 전자기 방사 변환기들에 관한 것이다. 본 발명의 제1 양상에 따르면, 전자기 방사 변환기의 광-변환부가 청구되고, 상기 광-변환부는 점점 깊어지는 동종접합들의 시퀀스를 사이에 형성하는 반도체 층들의 시퀀스를 포함하며, 상기 시퀀스는 하나를 초과하는 상이한 타입의 접합을 포함한다. 본 발명의 제2 양상에 따르면, 전자기 방사 변환기의 광-변환부가 청구되고, 상기 광-변환부는 점점 깊어지는 동종접합들의 시퀀스를 사이에 형성하는 반도체 층들의 시퀀스를 포함하며, 상기 시퀀스는 하나를 초과하는 상이한 타입의 접합을 포함하며, 단일 타입의 전도성을 갖는 전술한 층들 중 적어도 일부는 병렬로 정류된다. 전자기 방사 변환기가 또한 개시되며, 상기 변환기는 적어도 M≥1개의 광-변환부들 및 전류-수집 전극들을 포함하며, 상기 변환기에서 상기 M개의 광-변환부들 중 적어도 하나는 점점 깊어지는 동종접합들의 시퀀스를 사이에 형성하는 정류된 반도체 층들의 시퀀스를 포함하며, 상기 시퀀스는 하나를 초과하는 상이한-타입의 접합을 포함한다. 결과로서 해결되는 문제점은 광범위한 파장들 및 강도들(적외선 방사에서 자외선 방사까지) 내에서 매우 효율적인 변환을 가지는 매우 효율적인 광대역 전자기 방사 변환기들의 생성이다. |
