| 主权项 |
1﹒令有机胺与光气反应,以生成含有机异氰酸酯之反应混合物,而将该反应混合物予以精制之有机异氰氯酸酯之制法,其特征为惰性溶剂之存在下,于该反应混合物通入氯化氢气体,藉以去除含在该混合物中之气体,并减少酸性物质及含水解性氯之物质。2﹒依请求专利部份第1项之制法,其中反应生成物在该惰性溶剂之浓度为3-50重量%。3﹒依请求专利部份第2项之制法,其中反应生成物在该惰性溶剂之浓度为10-30重量%。4﹒依请求专利部份第1项之制法,其中惰性溶剂乃选自苯、甲苯、二甲苯、氯甲苯类、氯苯类、二氯苯类。5﹒依请求专利部份第1项之制法,其中有机异氰酸酯为芳族异氰酸酯。6﹒依请求专利部份第5项之制法,其中方族异氰酸酯之沸黠至少为140℃。7﹒依请求专利部份第5项之制法,其中方族异氰酸酯为选自三(4一异氰酸苯基)硫代磷酸酯,三苯基甲烷三异氰酸酯,或聚亚甲基聚苯基聚异氰酸酯:8﹒依请求专利部份第5项之制法,其中方族异氰酸酯为聚亚甲基聚苯基聚异氰酸酯。9﹒依请求专利部份第1项之制法,其中氯化氢气体乃以140─230℃通入该反应混合物。10﹒依请求专利部份第9项之制法,其中氯化氢气体乃向该反应混合物通入0﹒5-5小时。11﹒依请求专利部份第9项之制法,其中通入该反应混合物之氯化氢气体之总量相当该反应混合物溶在惰性有机溶剂之溶液每1﹒0公斤宜为0﹒5-100公斤。12﹒依请求专利部份第1项之制法,其中氯化氢气体乃与被加热之反应混合物在充填域中逆流地接触。13﹒依请求专利部份第1项之制法,其中氯化氢为由该胺与光气之反应所产生而去除含在其中之未反应元气而成者。 |
